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是以離子化的氣體, 中性狀態的氣體, 激發狀態的電子, 離子等構成。 宏觀的電性為中性狀態【以相同數量的正負離子(電子)】 或以離子化狀態帶有導電性。
為了產生 Plasma 需要將物質離子化,但物質的離子化需要能源 5eV~20eV 左右。( 1eV 是相當于 10,000°K 的溫度) 所以要產生離子化至少需要加熱到 50,000°K的熱度以上。
現實中如果要提升到此程度的溫度是非常困難的, 因此要用帶有能源的粒子( 光, 電子 ) 沖擊 氣體原子 或分子而產生Plasma. ( 以 248nm 波長紫外線的能源是 5eV, 在真空中用 5V 的電壓加速電子時的運動能源是 5eV )
相對比真空設備 可兼容到現已有的生產線(In-Line) 提高生產性生產效率, 并且可以寬屏處理 和 高均勻度(Uniformity)的特性。 設備的成本低。
- 用達因筆(Dyne pen) 檢測表面能( Surface Energy )
- 水珠的接觸角測試
將表面的有機物質用氧化方式去除。
表面有機物質完全去除時, 接觸角應測定出以物質固有的 Surface Energy 程度。
· N2 Remote Type
- 適用于 70mm~3,000mm 大尺寸表面處理
- 無任何電損傷 和 熱損傷 并且安全性高
- 均勻度高
- 與現有的設備兼容性強 且生產效率高
- 相比真空設備成本低, 簡易使用方便
- TSP, FPD, OLED, Semiconductor, FILM, BIO 領域等 適用于所有產業
· Direct Type
- 適用于 70mm~2,000mm 尺寸表面處理
- 表面改質性能 卓越
- 與現有的設備兼容性強 且生產效率高
- 相比真空設備成本低, 簡易使用方便
- 適用于 FILM, TSP, BIO 領域
· Air Jet Type
- 局部處理范圍 ( 10mm 以內 )
- 不產生臭氧(O3) 無需另設排氣系統
- 處理溫度在 50°以下
- 設備成本低(價格優勢)
- 只用自然空氣(AIR Gas)運營成本低廉
- 與現有的設備兼容性強 且生產效率高
- 表面改質性能卓越
- 適用于 LCM( COG,FOG ), 汽車部件的表面處理
1. 半導體領域 (PKG process)
- Die Attach 前處理
- Wire Bonding 前處理
- Molding 前處理
2. LED 領域 (Wafer AU Bumping process)
- Sputtering 前處理
- Descum 工程
3. PCB 工程
- CAM 前處理
- Lay up 前處理
- Desmear, Descum
- SMT 前處理
Plasma 表面處理是以為提高后工序中貼合力的領域里多使用。
另外,還在 Lithography工程/ Driling 工程/ PSR/DR 工程以后的去除殘渣的工程上多使用。